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      多功能電穿孔系統

      原理
      在傳統的電穿孔技術的基礎上,通過新型電轉程序和優化的電轉參數,實現不依賴于特殊的轉染試劑或病毒載體,方波技術直接將外源基因導入到原代細胞、傳代細胞、離體的組織或器官、或活體動物的組織中;指數衰減波技術則廣泛用于細菌、酵母、植物細胞的轉化。 特點預存、導入protocol
      儀器內預存常規實驗細胞的protocol,方便用戶的實驗操作;并可通過電腦控制實現BTX專業prot

      • 更新時間:2022-03-03
      • 產品型號:GeminiX2
      • 廠商性質:經銷商
      • 推薦星數:★★★★
      • 產品廠地:北京市
      • 訪問次數:140

      原理

      在傳統的電穿孔技術的基礎上,通過新型電轉程序和優化的電轉參數,實現不依賴于特殊的轉染試劑或病毒載體,方波技術直接將外源基因導入到原代細胞、傳代細胞、離體的組織或器官、或活體動物的組織中;指數衰減波技術則廣泛用于細菌、酵母、植物細胞的轉化。 

       

      特點

      預存、導入protocol
      儀器內預存常規實驗細胞的protocol,方便用戶的實驗操作;并可通過電腦控制實現BTX專業protocol庫的下載,存儲到儀器內部進行調用。

      雙波形電穿孔系統

      雙波形電穿孔系統,任一波形調用,不再是簡單的疊加,同一儀器內,突破方波、指數衰減波的相互干擾,實現方波、指數衰減波的整合。

      測量電阻值
      電阻值的測量是電擊過程中理化環境的指標,細胞轉化、轉染,指示緩沖液離子濃度合適,避免爆杯、細胞擊穿;活體電擊,指示實驗部位的理化特征,保證實驗重復性。

      安全性能
      電弧淬滅功能,使由電弧引起的損害降至;電阻值測量,警示使用過程中對儀器的外部損傷;短路保護,避免脈沖發生器遇到短路時被損壞。

      兼容性
      BTX各種電穿孔電極,BTX MOS96孔板電穿孔系統,腳踏開關,電腦控制。

      l  產品廣泛應用于體外電極杯/96微孔板,活體體內,子宮內胚胎、卵內胚胎和貼壁細胞。

      l  GeminiX2電穿孔儀將方波和指數衰減波結合。

      l  配合BTX的各種專業電極,輕松應對各種電穿孔實驗需求。

      l  懸浮細胞放置于電極杯或96微孔板中完成電穿孔。

      l  活體體內/離體、子宮內胚胎、貼壁細胞可通過BTX專業電極完成電穿孔實驗。

      l  GeminiX2配置腳踏板開關和電腦操控,且內置常規實驗參數。

      l  Protocol預存和下載功能,為您提供最佳實驗優化方案,實驗品質控制和故障排除。

      BTX Gemini X2多功能電穿孔系統

      1     原理:在傳統的電穿孔技術的基礎上,通過新型電轉程序和優化的電轉參數,實現不依賴于特殊的轉染試劑或病毒載體,方波技術直接將外源基因導入到原代細胞、傳代細胞、離體的組織或器官、或活體動物的組織中;指數衰減波技術則廣泛用于細菌、酵母、植物細胞的轉化。

      2  技術參數

      *2.1預存、導入protocol:儀器內預存常規實驗細胞的protocol,方便用戶的實驗操作;并可通過電腦控制實現BTX專業protocol庫的下載,存儲到儀器內部進行調用

      *2.2雙波形電穿孔系統:雙波形電穿孔系統,任一波形調用,不再是簡單的疊加,同一儀器內,突破方波、指數衰減波的相互干擾,實現方波、指數衰減波的整合。

      *2.3測量電阻值:電阻值的測量是電擊過程中理化環境的指標,細胞轉化、轉染,指示緩沖液離子濃度合適,避免爆杯、細胞擊穿;活體電擊,指示實驗部位的理化特征,保證實驗重復性

      *2.4安全性能:電弧淬滅功能,使由電弧引起的損害降至;電阻值測量,警示使用過程中對儀器的外部損傷;短路保護,避免脈沖發生器遇到短路時被損

      *2.5不依賴于特殊的轉染試劑或病毒載體,方波技術直接將外源基因導入到原代細胞、傳代細胞、離體的組織或器官、或活體動物的組織中;指數衰減波技術則廣泛用于細菌、酵母、植物細胞的轉化。

      *2.6 可選配各種專業電極,腳踏開關,并可通過電腦控制。同時可選配BTX MOS96孔板高通量電穿孔系統,對96孔微孔板同時進行轉染。

      *2.7 用戶界面:高分辨率觸摸屏,簡單快捷。

      2.8方波

      2.8.1 電壓: LV5-500V/ 1V增量;HV505V-3000V/5V增量

      2.8.2 脈沖時間:LV10μs-999μs/1μs增量,1ms-999ms/1ms增量;HV10μs-600μs/1μs增量

      2.8.3 脈沖次數: 單樣本1-99個;多樣本(HT plate handler mode)1-10個,最多120個樣本。

      2.8.4脈沖間隔時間:0.1-10s;

      2.8.5電容:LV 3775μF;HV85μF;

      2.9指數衰減波

      2.9.1電壓: LV5-500V/ 1V增量;HV505V-3000V/5V增量

      2.9.2脈沖時間:LV1ms-5.158s;HV0.5ms-133.875ms

      2.9.3脈沖次數: 1-12次(電阻<100Ω;1-24次(電阻>100Ω),脈沖間隔5-30s

      2.9.4電容:LV 25-3275μF/25μF增量;HV10,25,35,50,60,75,85μF

      2.9.5電阻: LV25-1575Ω/25Ω增量;HV50-1575Ω/25Ω增量

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